JST分野別(二次電池/次世代エネルギー)新技術説明会
  New Technology Presentation Meetings!

島根大学産学連携センター


JST分野別新技術説明会で総合理工学研究科の葉 文昌 准教授が発表しました

 平成26年2月18日(火)に,(独)科学技術振興機構のJST東京別館ホールにおいて,「二次電池/次世代エネルギー分野 新技術説明会」が開催されました。

 新技術説明会は,大学等から生まれた研究成果の実用化を促進するために開催される事業であり,JSTでは,平成25年度から,分野別の新技術説明会を開催しています。発表希望者からのエントリー,選考を経て,今回の「二次電池/次世代エネルギー分野」では,計12件の新技術が発表されました。

 島根大学からは,総合理工学研究科の葉 文昌准教授が「低温高速スパッタエピ成長法によるSi系太陽電池の製造技術」について発表すると共にポスターセッションを行いました。

 葉 准教授は,スパッタ堆積法により,Si膜またはGe膜を300℃以下,3nm/s以上の高速でエピタキシャル成長を可能とする新技術を紹介し,試作された基板や太陽電池の展示も行いました。次世代太陽光発電に関わる技術の一つとして,複数の企業関係者の方々に関心を持っていただきました。終了後には,担当コーディネータである産学連携センターの丹生晃隆 准教授も交えた個別相談も行われました。

 産学連携センターでは,今後も,今回のような発表の機会を通じて,本学の研究成果の情報発信をして参ります。

 

島根大学では,研究成果を何に利用できそうかという視点で,産業界の方々に,研究内容をわかりやすく紹介する目的で研究シーズ集を作成しています。今回の発表シーズと合わせてご覧ください。

日時   平成26年2月18日(火)9:30〜16:50
会場   JST東京別館ホール(東京・市ヶ谷)
主催   (独)科学技術振興機構
後援   (独)中小企業基盤整備機構,全国イノベーション推進機関ネットワーク
 

島根大学からの発表

次世代エネルギー分野

(発表 14:20〜14:45)

(ポスターセッション 14:45〜15:10)

「低温高速スパッタエピ成長法によるSi系太陽電池の製造技術」
  総合理工学研究科 機械・電気電子領域 葉 文昌 准教授

研究シーズ

新技術の概要

スパッタ堆積法でSi膜またはGe膜を300℃以下,3nm/s以上の高速でエピタキシャル成長する技術である。本方法ではドーパント元素との共スパッタにより簡単にSi及びGe膜への高濃度ドーピングができる。大面積で低コストな成膜が可能であり,紫外レーザダイオードアニールにより准単結晶化されたガラス上のSi薄膜を厚膜化すれば高効率な薄膜Si太陽電池が期待できる。

【従来技術・競合技術との比較】

500℃以下の低温でSi又はGe膜を1nm/s以上でエピタキシャル成長する技術は本方法以外にない。またGeに関しては10^20cm^-3程度のn+-Geが実現可能であり,n-Ge膜と金属のオーミック接触が簡単に実現できる。

【想定される用途】
太陽電池 LSI デイスプレイ

 


お問合先

  ・島根大学の発表シーズについて
   

島根大学産学連携センター連携企画推進部門(担当:丹生)

TEL:0852−60−2290 

E-mail:crcenter@ipc.shimane-u.ac.jp

URL:http://www.crc.shimane-u.ac.jp/

  ・JST推薦シーズ新技術説明会について
   

(独)科学技術振興機構 産学連携支援担当

TEL:03-5214-7519

E-mail:scett@jst.go.jp

URL:http://jstshingi.jp/energy/2013/